第341章 与尖端的差距！林决带来的信心！
紧接着。
一个被林决规划好的消差工程节点图，出现在众人眼中。
林决声音随之传来，
“前辈们也都清楚，EUV
反射镜多层膜的原位相位非均匀性误差，是因为8
米极紫外长光程的全局波前基线失配产生的。”
“目前我们的让法和国外一样。”
“。。。。。。用11
块钼硅多层膜，通过反射镜在斜入射入，让膜层反射偏差经过
8
米的光程，11的
次反射线性累积，最后形成固定波前畸变。”
“我看了胡老给的手稿。”
“目前，我们光机所单块反射镜精度极致工艺水平，面形
0。2nm
RMS，13。5nm
反射率
65%。。。。。。”
“对比蔡斯，ASML的成熟量产水平来看，面形差了0，反射率差也差了足足5%！”
“而在多次反射累计后。。。。。。”
“这个差距变得更大了。”
“我们全链路最终波前精度是1。2nm
RMS，而ASML的，是0。15nm
RMS。”
“整整8倍的差距！！！”
“在这个数据下，实际工况仅能完成单根纳米线的原理验证！”
“没办法。。。。。。我们既缺少高端测量仪器，还没有精准的全局耦合补偿模型。。。。。。连实际误差都拿不到。”
林决的声音在会议室内回响。
他口中的这些问题，在座诸君都是清楚，也是他们为此努力奋斗解决的目标。
根据目前的进展来看。。。。。。